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IRLML0100TRPBF
标准包装:3,000 类别:分离式半导体 产品家庭:FET - 单系列:HEXFET® FET 型:MOSFET N 通道 金属氧化物FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.6A开态Rds(******)@ Id, Vgs @ 25° C:220 毫欧 @ 1.6A,10VId 时的 Vgs(th)(******):2.5V @ 25µA闸电荷(Qg) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds:290pF @ 25V功率 - ******:1.3W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:Micro3?/SOT-23 包装:带卷 (TR) 其它名称:IRLML0100TRPBFTR |
Add:RM510, 5/F. TCL TOWER, 8 TAI CHUNG ROAD,TSUEN WAN, N.T.,HONG KONG Tel:(852) 2687 2677 Fax:(852) 2687 2377 Email:Andy@gcsic.com